用螺旋双线k或更小

作者:幸运3D 发布时间:2021-01-29 23:14

  过去的几个智能开关项目中,频繁使用可控硅作为无触点开关,期间由于个人对可控硅设计认知粗糙的原因,跳入了好几个“坑”,现在对可控硅设计知识要点进行总结,给大家分享。

  a.单向可控硅:门极带阻灵敏型单向可控硅、门极灵敏型单向可控硅、标准型单向可控硅等。

  b.双向可控硅:标准型双向可控硅、四象限双向可控硅、洗衣机专用双向可控硅、高结温双向可控硅、瞬态抑制型双向可控硅等。

  额定平均电流、维持电流、控制极触发电压和电流、 正向阻断峰值电压、反向阻断峰值电压。

  解析:不受控制,对于交流电,可以不经过MOC3021而直接流过可控硅的1,3引脚使其处于控制极导通状态。

  1、为何需要有“象限”这个概念?“象限”通用命名法?(个人认为:对于象限概念的提出,是为了更好地描述、理解可控硅的特性,就如同笛卡尔引入直角坐标系是为了更好地描述二维数据)

  解析:可控硅MT1、MT2流过的电流小于导通维持电流时,可控硅关断,但是单独撤去可控硅控制极电压时,需等到第2个条件满足时才会关断

  1.为了导通闸流管(或双向可控硅),必须有门极电流≧IGT ,直至负载电流达到≧IL 。这条件必须满足,并按可能遇到的最低温度考虑;

  3. 设计双向可控硅触发电路时,只要有可能,就要避开3+象限(WT2-,+);

  4. 为减少杂波吸收,门极连线长度降至最低。返回线(或阴极)。若用硬线,用螺旋双线k或更小。高频旁路电容和门极间串接电阻。另一解决办法,选用H 系列低灵敏度双向可控硅;

  5. 若dVD/dt 或dVCOM/dt 可能引起问题,在MT1 和MT2 间加入RC 缓冲电路。若高dICOM/dt 可能引起问题,加入一几mH 的电感和负载串联。另一种解决办法,采用Hi-Com 双向可控硅;

  6. 假如双向可控硅的VDRM 在严重的、异常的电源瞬间过程中有可能被超出,采用下列措施之一: 负载上串联电感量为几H 的不饱和电感,以限制dIT/dt; 用MOV 跨接于电源,并在电源侧增加滤波电路;

  7. 选用好的门极触发电路,避开3+象限工况,可以最大限度提高双向可控硅的dIT/dt 承受能力;

  8. 若双向可控硅的dIT/dt 有可能被超出,负载上最好串联一个几H 的无铁芯电感或负温度系数的热敏电阻。另一种解决办法:对电阻性负载采用零电压导通;

  9. 器件固定到散热器时,避免让双向可控硅受到应力。固定,然后焊接引线。不要把铆钉芯轴放在器件接口片一侧;

  10.为了长期可靠工作,应保证Rth j-a 足够低,维持Tj 不高于Tjmax ,其值相应于可能的最高环境温度。


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